A IM Flash Technologies, uma joint-venture entre a Intel e a Micron Technology, anunciou a criação de um novo tipo de memoria flash que permite armazenar mais informações por célula, resultando em uma maior capacidade de armazenamento no mesmo espaço físico.
Batizada de 3bpc (Três Bits por Célula), a tecnologia permite, como o nome diz, armazenar três bits em uma única célula de memória, contra os dois bits da memória flash atual. Ou seja, um aumento de 50% na capacidade.
A técnica pode ser aplicada aos chips usados em cartões de memória, pendrives e até mesmo nos discos de estado sólido (SSDs), que estão começando a ganhar espaço no mercado.
Os chips de memória flash com a tecnologia 3bpc estão sendo produzidos em um processo de 34 nanômetros, e atualmente estão em fase de amostragem, com produção em larga escala prevista para se iniciar no final do ano.
Não há previsão oficial de sua chegada ao mercado, mas especula-se dispositivos usando essas memórias poderão estar nas prateleiras já no início de 2011.
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